台积电公布了其最新的N2 2nm制程的缺陷率数据，表明其性能表现优异，相较于先前的3nm、5nm和7nm制程，缺陷率更低，这一突破性的技术进展有望为高性能计算和人工智能领域带来更大的性能提升和能效优化，台积电在制程技术领域的持续创新，进一步巩固了其作为全球领先的半导体制造企业的地位。
电脑知识网4月26日消息，在近日举办的北美技术论坛上，台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。
台积电没有给出具体数据，只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。
台积电N2首次引入了GAAFET全环绕晶体管，目前距离大规模量产还有2个季度，也就是要等到年底。
N2试产近2个月来，缺陷率和同期的N5/N4差不多，还稍微低一点，同时显著优于N7/N6、N3/N3P。
从试产到量产半年的时间周期内，N7/N6的综合缺陷率是最高的，N3/N3P从量产开始就低得多了，N5/N4情况更好，从试产开始就明显更低。
N2如果能延续N5/N4的趋势，前景无疑是非常光明的。
台积电还指出，一种工艺的缺陷率能否快速降低，除了取决于本身的设计和技术，也要看制造芯片数量、产能规模，越多越大就越容易发现缺陷并改进。
台积电N2已流片的芯片数量就明显更多，也是其能够快速降低缺陷率的关键原因。
